TTV 厚差

定义：是硅片的最大厚度和最小厚度之间的差异。

TTV这个参数是用来衡量硅片厚度均匀性的一个重要指标。在半导体制程中，硅片的厚度必须在整个表面上非常均匀。通常在硅片上的五个位置进行测量，并计算最大差异。最终，这个数值是判断硅片质量的依据。实际应用中，4inch 硅片TTV一般小于2um，6inch硅片一般小于3um。

Bow弯曲度

定义：硅片中心面凹凸形变的一种度量。它与硅片可能存在任何厚度变化无关，是硅片的一种体性质而不是表面特性。

Bow这个词可能来源于物体弯曲时形态的描述，就像弓（bow）的弯曲形状一样。Bow的值是通过测量硅片的中心和边缘之间的最大偏差来定义的。这个值通常用微米（µm）表示。4inch硅片的SEMI标准是，Bow<40um。

晶片弯曲程度是影响制造工艺和器件性能的重要因素之一。BOW的控制需要在晶片制备过程中对温度、材料性质以及机械变形等因素进行合理调控，以确保晶片的平整度和稳定度，从而提高器件的制造可行性和性能稳定性。

Wrap翘曲度

定义：硅片中心面与基准平面之间的最大和最小距离之差。是硅片的体性质而不是其表面特性。

Warp是硅片的一个全局特性，表示硅片表面的最大偏离平面的距离。它测量的是硅片的最高点与最低点之间的距离。4inch硅片的SEMI标准是，Warp<40um。晶片的整体翘曲程度影响着制造设备的接触和加工效果，对于光刻、薄膜沉积和各种化学加工等工艺步骤都有较大影响。通过控制晶片的翘曲程度，可以提高晶片与设备之间的接触均匀度和接触性能，从而提高制造工艺的精度和器件性能的稳定性。

TTV,Bow,Warp有何差别？

TTV专注于厚度的变化，而不关心晶圆的弯曲或扭曲。

Bow专注于整体弯曲，主要考虑中心点与边缘的弯曲。

Warp更全面，包括整个晶圆表面的弯曲和扭曲。